伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入2納米制程工藝、先進(jìn)封裝技術(shù)及人工智能芯片時(shí)代，器件可靠性面臨多重技術(shù)挑戰(zhàn)。極紫外光刻工藝的微縮化演進(jìn)、3D集成電路封裝的異構(gòu)集成架構(gòu)以及高帶寬存儲(chǔ)器件的高密度運(yùn)行環(huán)境，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品在溫變梯度、濕熱交變及機(jī)械應(yīng)力等復(fù)合工況下的穩(wěn)定性提出更為嚴(yán)苛的要求。作為環(huán)境可靠性測試領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)服務(wù)商,自主研發(fā)的高精度環(huán)境模擬技術(shù)體系，致力于為全球半導(dǎo)體企業(yè)構(gòu)建全生命周期質(zhì)量驗(yàn)證平臺(tái)，加速失效模式識(shí)別進(jìn)程，為芯片產(chǎn)品的長效可靠運(yùn)行提供核心技術(shù)保障。

關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
一、集成電路芯片可靠性驗(yàn)證
應(yīng)用領(lǐng)域：中央處理器、存儲(chǔ)模塊、邏輯控制器件等核心電子元件
驗(yàn)證體系：
1.溫變應(yīng)力測試
→高低溫存儲(chǔ)測試（-65℃~150℃）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A101、GB/T 2423.1-2008
→加速溫度循環(huán)測試（溫變速率5-25℃/min）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A104
2.環(huán)境耐受性評(píng)估
→雙85濕熱測試（85℃/85%RH）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 2423.3-2016

二、功率半導(dǎo)體器件驗(yàn)證方案
應(yīng)用場景：新能源汽車電控系統(tǒng)、光伏逆變?cè)O(shè)備、工業(yè)變頻裝置
核心測試項(xiàng)目：
→H3TRB高壓高濕偏壓測試（130℃/85%RH/230kPa）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110、IEC 60749-34

三、光電子器件可靠性檢測
關(guān)鍵指標(biāo)：熱致波長漂移、光功率衰減率、環(huán)境耐受性
驗(yàn)證方案：
1.加速老化測試（IEC 62047-21）
2.四象限冷熱沖擊測試（-65℃?150℃）
3.CASS鹽霧腐蝕測試（GB/T 2423.17-2008）

核心測試設(shè)備矩陣

1.快速溫變?cè)囼?yàn)箱
→溫域范圍：-70℃~+180℃（可擴(kuò)展定制）
→控溫精度：±0.5℃（穩(wěn)態(tài)空載）
→溫變速率：5~25℃/min（可編程梯度）
→創(chuàng)新冷媒調(diào)控技術(shù)實(shí)現(xiàn)能效提升30%+

2.HAST高壓加速老化試驗(yàn)箱
→復(fù)合環(huán)境參數(shù)：溫度105-133℃ | 濕度65-100%RH | 壓力0.05-0.23MPa
→典型測試工況：130℃/85%RH/230kPa持續(xù)96小時(shí)

3.冷熱沖擊試驗(yàn)箱
→溫躍遷能力：-65℃?150℃轉(zhuǎn)換≤10秒
→溫度恢復(fù)時(shí)間：<5分鐘（IEC 60068-2-14）
→網(wǎng)絡(luò)化監(jiān)控：支持RS485/Modbus多設(shè)備組網(wǎng)

價(jià)值賦能體系
在半導(dǎo)體器件可靠性直接影響終端系統(tǒng)MTBF指標(biāo)的產(chǎn)業(yè)背景下，構(gòu)建覆蓋器件研發(fā)、工藝驗(yàn)證、量產(chǎn)檢測的全流程質(zhì)量保障體系。通過嚴(yán)格遵循JEDEC、IEC、MIL-STD等國際標(biāo)準(zhǔn)，協(xié)助客戶建立：
→產(chǎn)品環(huán)境適應(yīng)性驗(yàn)證平臺(tái)
→失效機(jī)理分析數(shù)據(jù)庫
→工藝優(yōu)化決策支持系統(tǒng)

持續(xù)為全球半導(dǎo)體企業(yè)提供：
√ 定制化測試方案設(shè)計(jì)
√ 設(shè)備全生命周期管理
√ 測試數(shù)據(jù)分析服務(wù)
√ 國際認(rèn)證技術(shù)支持